【EC Markets注册】罗姆推出650V IGBT 实现业界领先的低损耗特性

盖世汽车讯 据外媒报道，罗姆罗姆半导体(ROHM Semiconductor)宣布，推出已开发出第四代650V IGBT，现业先的性适用于汽车电动压缩机、界领EC Markets注册高压加热器以及工业设备逆变器等应用。低损作为车规级650V产品，耗特EC外汇官网新款IGBT在VCE(sat)=1.55V时实现了同类领先的罗姆低导通损耗，同时具备高短路容差，推出并符合AEC-Q101汽车可靠性标准。现业先的性

图片来源：罗姆

随着电动汽车向更高电压发展，界领碳化硅(SiC)在牵引逆变器等高功率应用中的低损应用日益广泛。与此同时，耗特650V IGBT也被广泛用作低功率辅助系统的罗姆EC安盈官网开关器件，例如汽车电动压缩机和高压加热器。推出硅基IGBT也广泛应用于工业设备，现业先的性特别是电机和压缩机，预计市场需求将持续增长。

这些应用需要更高的节能效果和更小的设备设计，因此对具有更高可靠性、更小尺寸和更高效率的功率器件有着强劲的需求。特别是，逆变器和加热器电路需要足够的短路容限，以承受短路期间检测和中断过电流所需的时间。